新突破!芯朋微國(guó)內(nèi)首推高速高效600V HVIC
電平移位
優(yōu)點(diǎn):高性價(jià)比,高可靠性,自舉供電,靜態(tài)電流小 IQ (~uA)等
缺點(diǎn): <1500V應(yīng)用,抗擾度50V/ns
電容隔離
優(yōu)點(diǎn): 更高耐壓,CMTI更高 (>100V/ns)等
缺點(diǎn): 成本較高,需隔離電源,靜態(tài)電流大 IQ (~mA)
優(yōu)異的高壓動(dòng)態(tài)延時(shí)表現(xiàn), 滿足大功率高頻應(yīng)用
在高側(cè)浮置電平600V滿電壓范圍下(VS=600V, VB=615V),PN7113A芯片測(cè)試典型開通延時(shí)tDON=79.6ns, TDOFF=80ns,以及脈寬失配時(shí)間都優(yōu)于國(guó)際產(chǎn)品。穩(wěn)定較快的動(dòng)態(tài)延時(shí)可以使得系統(tǒng)無懼高頻應(yīng)用。
圖2 600V工作情況下的開通波形(PN7113A: tDON=79.6ns)
圖3 600V工作情況下的關(guān)斷波形(PN7113A: TDOFF=80ns)
圖4 600V工作情況下的開通波形(國(guó)際P2P產(chǎn)品: tDON=82ns)
圖5 600V工作情況下的關(guān)斷波形(國(guó)際P2P產(chǎn)品: TDOFF=80.8ns)
圖2和圖3分別所示的是VS=600V下的開通與關(guān)斷波形。圖4和圖5分別所示的是國(guó)際P2P產(chǎn)品在VS=600V下的開通與關(guān)斷波形。
優(yōu)異的功耗表現(xiàn), 提升系統(tǒng)工作效率
圖6 400V高負(fù)荷極限運(yùn)行(PN7113A殼溫:45.7℃)
圖7 400V高負(fù)荷極限運(yùn)行(國(guó)際P2P兼容產(chǎn)品殼溫:53.5℃)
PN7113A采用了低功耗技術(shù)。在VCC/VBS=15V、VBUS=400V工況下,帶載系統(tǒng)測(cè)試,將芯片工作頻率提升至120kHz,高低側(cè)同時(shí)工作,持續(xù)工作1小時(shí),PN7113A芯片殼溫度45.7℃ ,同國(guó)際P2P產(chǎn)品殼溫53.5℃。
優(yōu)異的窄脈沖特性, 實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)控制
為了提升系統(tǒng)應(yīng)用,在極端應(yīng)用工況下,芯片需要在非常小脈寬下工作,PN7113A高低側(cè)具有優(yōu)異的窄脈沖特性。
圖8 HIN最小輸入窄脈沖
(PN7113A高側(cè)窄脈沖輸入/輸出:50ns/51ns)
圖9 LIN最小輸入窄脈沖
(PN7113A低側(cè)窄脈沖輸入/輸出:50ns/51ns)
圖10 HIN最小輸入窄脈沖(國(guó)際P2P產(chǎn)品 高側(cè)窄脈沖輸入/輸出:50ns/60ns)
圖11 LIN最小輸入窄脈沖(國(guó)際P2P產(chǎn)品 低側(cè)窄脈沖輸入/輸出:50ns/76ns)
如圖8和圖9所示,PN7113A高低側(cè)最小響應(yīng)輸入脈寬為50ns,高低側(cè)輸出脈寬為51ns,在最小響應(yīng)脈寬50ns條件下的輸入輸出匹配性優(yōu)于國(guó)際P2P產(chǎn)品。
強(qiáng)勁的驅(qū)動(dòng)能力, 拓寬應(yīng)用范圍
圖12 高側(cè)拉灌電流能力
(PN7113A瞬時(shí)充放電流測(cè)試: 2.8/3.1A)
圖13 低側(cè)拉灌電流能力
(PN7113A瞬時(shí)充放電流測(cè)試: 2.8/3.1A)
圖14 高側(cè)拉灌電流能力
(國(guó)際P2P產(chǎn)品 瞬時(shí)充放電流測(cè)試: 2.0/2.5A)
圖15 低側(cè)拉灌電流能力
(國(guó)際P2P產(chǎn)品 瞬時(shí)充放電流測(cè)試: 2.0/2.6A)
如圖12和圖13所示,PN7113A高低側(cè)瞬態(tài)拉罐電流可達(dá)2.8A和3.1A,圖14和圖15為國(guó)際P2P產(chǎn)品高低測(cè)瞬態(tài)拉罐電流(2.0A/2.5A);關(guān)斷電流大于開通電流,從而降低系統(tǒng)的開關(guān)損耗。
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